Temperatura, prejuízo ou vantagem no surgimento da memória: o caso do ZnO

O aparecimento natural de efeitos de memória em sólidos é um tópico fascinante que foi sistematicamente analisado no artigo: "Temperature, detriment or advantage for memory emergence: the case of ZnO"...

O aparecimento natural de efeitos de memória em sólidos é um tópico fascinante que foi sistematicamente analisado no artigo: "Temperature, detriment or advantage for memory emergence: the case of ZnO" resultado da comunhão de teoria e experimento e a contribuição dos alunos do programa de Pós-graduação em Física da UFSCar Aline Bastos de Paiva e Rafael Schio Wengenroth Silva, orientados pelos professores Marcio Peron Franco de Godoy (docente do PPGEE/UFSCar) e Victor Lopez Richard, e colaboradores da UNIFEI.

O problema trata o transporte eletrônico lateral em ZnO reduzindo-o a seus ingredientes básicos. Esses mecanismos de memória têm sido raramente relatados na literatura e o artigo lança luz, tanto experimental quanto teoricamente, sobre a resposta memristiva que pode ser sintonizada em filmes de ZnO. A caracterização estrutural, óptica e de transporte eletrônico permite vincular de forma inequívoca os efeitos observados à geração de carga fora de equilíbrio nos cristalitos uniformemente distribuídos pela estrutura.